考试科目名称：半导体物理         考试科目代码：[806]

一、考试要求：

全面系统地掌握半导体物理的基本概念、基本原理和物理过程，并能够运用理论对实际问题进行分析和计算。

二、考试内容：

1）能带论

a: 半导体电子状态和能带

b: 半导体电子的运动

c: 本征半导体的导电机构

d: 硅和锗的能带结构

2) 杂质半导体理论

a: 硅和锗晶体中的杂质能级

3) 载流子的统计分布

  a: 状态密度与载流子的统计分布

b: 本征与杂质半导体的载流子浓度

c: 一般情况下载流子统计分布

d: 简并半导体

4)      半导体的导电性

a: 载流子的漂移运动与散射运动

b: 迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系

5)      非平衡载流子

a: 非平衡载流子的注入、复合与寿命

b: 准费米能级

c: 复合理论

d: 陷阱效应

e: 电流密度方程

f: 连续性方程

6)      p-n结理论

a: p-n结及其能带图

b: p-n结电流电压特性

7)      金属-半导体接触理论

a: 金-半接触、能带及整流理论

b: 欧姆接触

8)      半导体表面理论

a: 表面态及表面电场效应

b: MIS结构电容-电压特性

c: 硅-二氧化硅系统的性质

9)      半导体光电效应

a: 半导体的光学常数和光吸收

b: 半导体的光电导效应

c: 半导体的光生伏特效应

三、试卷结构：

a)   考试时间：180分钟，满分：150分

b)   题型结构

a: 概念简答题（30分)

b: 论述题 (60分)

c: 理论推导及应用计算题 (60分)

四、参考书目

1. 刘恩科，半导体物理学（第四版），国防工业出版社

2. 刘晓为等，固态电子论，电子工业出版社