考试科目名称：半导体物理Ⅱ     考试科目代码：[829]

一、 考试要求：

要求考生系统地掌握半导体物理的基本概念和基本原理，并能利用基本原理分析半导体的物理性能。要求考生对半导体的晶体结构和能带论、载流子统计分布、载流子输运过程、p-n结理论、金属-半导体接触理论、半导体光电效应等基本原理有很好的掌握，并能熟练运用分析半导体的光电特性。

二、考试内容：

1） 半导体晶体结构和能带论

a: 半导体晶格结构及电子状态和能带

b: 半导体中电子的运动

c: 本征半导体的导电机构

d: 硅和锗及常用化合物半导体的能带结构

2) 杂质半导体理论

a: 硅和锗晶体中的杂质能级

b: 常用化合物半导体中的杂质能级

 c: 缺陷、位错能级

3) 载流子的统计分布

  a: 状态密度与载流子的统计分布

b: 本征与杂质半导体的载流子浓度

c: 一般情况下载流子统计分布

d: 简并半导体

4) 半导体的导电性

a: 载流子的漂移运动与散射机构

b: 迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系

c: 多能谷散射、耿氏效应

5) 非平衡载流子

a: 非平衡载流子的注入、复合与寿命

b: 准费米能级

c: 复合理论、陷阱效应

d: 载流子的扩散、电流密度方程

e: 连续性方程

6) p-n结理论

a: p-n结及其能带图

b: p-n结电流电压特性

c: p-n结电容、p-n结隧道效应

7) 金属-半导体接触理论

a: 金-半接触、能带及整流理论

b: 欧姆接触

8) 半导体光电效应

a: 半导体的光学性质（光吸收和光发射）

b: 半导体的光电导效应

c: 半导体的光生伏特效应

d: 半导体发光二极管、光电二极管

三、 试卷结构：

a) 考试时间：180分钟，满分：150分

b) 题型结构

a:概念及简答题（60分）

b:论述题（90分）

c）内容结构

a: 半导体晶体结构和能带论及杂质半导体理论（30分）

b: 载流子的统计分布  （20分）

c: 半导体的导电性    （20分）

d: 非平衡载流子（20分）

e: p-n结理论和金属-半导体接触理论  (30分)

f: 半导体光电效应 (30分)

四、参考书目

1. 刘恩科，朱秉升，罗晋升编著. 半导体物理学. 电子工业出版社, 2011.03.

2. [美]施敏 （S.M.Sze），半导体器件物理，电子工业出版社，1987.12.

新祥旭邱老师

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