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北大考研辅导班:2021北京大学信科学院微电子学与固体电子学考研招生分析、参考书目、复试线等经验指导篇

新祥旭岑老师——xxxedu666 / 2020-07-08

一、院系介绍

北京大学信息科学技术学院具有悠久的历史,最早可以追溯到上世纪50年代数学力学系的计算数学专业和物理系的无线电物理、电子物理、半导体物理专业。为了适应高等教育和信息科学技术学科的发展,满足未来社会信息化和智能化的需求,加快创建世界一流大学的步伐,北京大学于2002年在原电子学系、计算机科学技术系、信息科学中心和微电子学研究所的基础上,正式组建成立信息科学技术学院。学院学科建设覆盖计算机科学与技术、电子科学与技术、信息与通信工程、软件工程4个一级学科,其中计算机科学与技术、电子科学与技术为国家重点一级学科,计算机软件与理论、计算机应用技术、物理电子学、微电子学与固体电子学、通信与信息系统为国家重点二级学科。按2013年度US News的评价体系,北京大学“电子工程”学科排名第36位,“计算机科学”学科排名第35位;按ESI的评价体系,北京大学的“计算机科学”、“工程”学科均进入全球研究机构的1%。2015年QS全球大学学科排名,在计算机科学与信息系统学科中,北京大学名列第36位,为中国大陆高校之首。

二、招生专业及方向

080903微电子学与固体电子学

01.微纳电子器件及集成技术(ULSI)

02.系统集成芯片(SOC)设计及设计方法学

03.微电子机械系统(MEMS)

04.宽禁带半导体器件及集成技术

注:北京大学共有三个学院设有微电子学专业,包括位于本部的信息科学技术学院,位于深圳研究生院的信息工程学院,和位于北京大兴的软件与微电子学院。信息科学技术学院位于本部,每年招生名额很少,并且有逐年减少的趋势,科研能力无需赘言,北京大学的器件方面可以说是国内顶尖。

三、考试科目

①101思想政治理论

②201英语一

③301数学一

④912半导体物理或934数字与模拟电路

四、参考书目推荐

912半导体物理:

《半导体物理学(第7版)》,刘恩科、朱秉升、罗晋生,电子工业出版社,2011-03

《半导体物理与器件(第4版)》,尼曼,电子工业出版社;

934数字与模拟电路:

《电子技术基础(模拟部分)》(第5版),华中科技大学电子技术课程组、康华光,高等教育出版社,2006-01;

《电子技术基础(数字部分)》(第5版),华中科技大学电子技术课程组、康华光,高等教育出版社,2006-01。

五、历年复试招生情况

2020年复试线:55/55/90/90/310,统考录取2人,初试最高分364,最低分354;

2019年复试线:55/55/90/90/375,统考录取2人,初试最高分398,最低分390;

2018年复试线:50/50/90/90/310,统考录取6人,初试最高分383,最低分355;

六、20考研复试细则

1、复试基本内容:包括专业知识、科研能力、逻辑思维与表达能力、英语听力及口语测试等。

2、成绩权重:初试成绩占总成绩的50%,复试成绩占总成绩的50%。

3、外语听力及口语测试均在复试中进行,成绩计入复试总成绩。

4、总成绩计算公式:总成绩=50%×初试总成绩/5+复试成绩(百分制)×50%。

5、复试成绩满分为100分,60分及格,不及格的考生不予录取。各专业拟录取名单根据专业招生名额依总成绩名次择优录取。

七、21备考指导

主要讲讲912半导体物理的复习,912的考试内容在2020之前为六个名词解释和五道大题,2020年变为五道大题,但其实关于名词解释的部分还是会穿插在大题之中。首先第一轮复习要认真过一遍参考书,将所有知识学习一遍,起码要做到不陌生,重要的地方一定要深入理解。第二轮的时候将真题按照不同章节认真过一遍,并结合历年真题对书本进行第二次的回顾。对于书本上重要的公式要熟练掌握其推导过程(一定要自己动手推导!),要有可以闭上书根据其原理轻松推导出公式的能力,公式一定不只是记忆,知道它的来龙去脉才是关键。名词解释也要开始总结并背诵了,真题上的名词解释以及简答题可能在刘恩科的书上会找不到,可以参考孟庆巨的《半导体物理简明教程》及尼曼的《半导体物理与器件》。11月到考前主要建议将真题按照年份掐时间做,真题上的知识点一定要全部掌握,这是我们可以拿到一个不错的分数的关键。

八、2018年北大912真题回忆

一、名词解释

受主、雪崩击穿、异质结、费米钉扎(还有两个记不清了,历年真题中可以找到)

二、半导体A、B的电导率-温度曲线如下

1.说明A、B半导体的类型,并说明原因

2.A、B分别产生如下曲线的机制是什么

三、题干给出了两种材料(n型Eg较窄,p型Eg较宽)的能带图,画出这两种材料形成异质结后在如下情形的能带图

1.无外加偏压

2.施加反向偏压Va

四、p-mos管(n型衬底)中,Wm<Ws,SiO2层厚度及介电常数已知,

SiO2层中存在以密度为常数ρ的电荷分布

1.写出平带电压表达式

2.画出平带时的能带图

五、PN结P型区及N型区均均匀掺杂,浓度为Na,Nd

1.算出施加正向偏压Va时p区边界少子浓度

2.画出正偏时I-V曲线

3.Na,Nd很小时,I-V曲线与理想曲线有什么区别

六、同时在Si中掺入Na,Nd,Na>Nd

1.写出电荷守恒表达式

2.写出低温区Ef与T的关系

3.示意在能带图中画出Ef随T的变化曲线

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