学院介绍
上海交通大学是中国最早建立材料科学与工程学科的高校之一。上海交通大学材料科学与工程学院自1997年由材料科学系和材料工程系合并而成，所属的金属热处理专业在1952年就已设立。学院拥有一级学科“材料科学与工程”，是国内首批国家重点一级学科，连续多年入围ESI世界前1‰学科，并国内首批设立硕士点、博士点和博士后流动站。在2016年QS世界排名中名列国际第31名，国内第2位。
招生目录
080500 材料科学与工程 (参考20招生)
学习方式
全日制
研究方向
01. 材料物理与化学
02. 材料学
03. 材料加工工程
04. 材料加工工程（塑性成形）
考试科目
①101思想政治理论
②201英语一
③301数学一
④804材料力学 或827材料科学基础 或837高分子化学与高分子物理 或871塑性成形原理
理工科各专业均可以报考。
参考书
804材料力学：
《材料力学》（第一版）单辉祖编高等教育出版社1999 或 高教出版社；
《材料力学》孙国钧、赵社戌编 交大出版社；《材料力学》金忠谋等编 机械工业出版社；
827材料科学基础：
《材料科学基础》(第三版）胡赓祥、蔡珣、戎咏华主编 上海交通大学出版社 2010；
837高分子化学与高分子物理：
《高分子物理》第三版，何曼君 张红东 陈维孝编著，复旦大学出版社，2007；
《高分子化学》第五版，潘祖仁 主编，化学工业出版社，2014；
871塑性成形原理：
《金属塑性成形原理》，董湘怀主编，机械工业出版社，2011；
复试线
2020年：55,55,75,85,366
2019年：50,55,75,85,340（材料学院）/50,55,75,85,338（塑性研究院）
2018年：50,55,70,85,349（材料学院）/50,55,70,85,338（塑性研究院）
录取人数
2020年录取：
20人进入复试，录取18人，最低录取初试分数366.
2019年录取：
材料学院36人进入复试，录取30人，最低录取初试分数340.
塑性研究院14人进入复试，录取10人，最低录取初试分数343.
2018年录取：
材料学院24人进入复试，录取20人.
塑性研究院4人进入复试，录取6人.
本文来源于公众号上交考研联盟
考研真题
2020真题
827材料科学基础
一、选择题。共25题，每题3分，共75分。
1. 下列晶向在（111）晶面上的是
A.[121] B.[1-21] C.[112] D.[1-22]
2. fcc的堆垛方式是
A.ABCABC B.ACBABC
C.ABABAB D.ABCDAB
3. G为切变模量，b为伯氏矢量，τ为外切应力，则作用在单位位错上的力可以表示为
A. Gb B. τb C.Gb2D.τG
4. 高分子中的主价键
A.共价键 B.离子键 C.范德华力 D.氢键
5. 在线性硬化中，ρm为位错密度，则应力与成正比
A.1/ρmB. ρmC. D.
6. 肖特基缺陷是组成
A.正离子空位和负离子空位
B.正离子空位和正离子间隙
C.负离子空位和负离子间隙
D.正离子间隙和负离子间隙
7. 点缺陷平衡是为了使
A.自由能最小 B.自由能最大
C.内能最小 D.内能最大
8. 位错的晶体中实际晶体的屈服强度比理论值
A.高 B.低 C.一样 D.都有可能
9. 关于位错的应力场
A. 刃型位错应力场正应力分量全为零。
B. 刃型位错应力场切应力分量全为零。
C. 螺型位错应力场正应力分量全为零。
D. 螺型位错应力场切应力分量全为零。
10. 材料发生扩散的根本原因是
A. 温度梯度 B. 浓度梯度
C. 化学势梯度 D.都不是
11. 杨氏模量表征的是
A. 抗拉强度 B. 硬度 C. 塑性 D. 原子间结合力
12. 下列关于位错线说法错误的是
A.一根位错线只有一个伯氏矢量
B. 位错线可以露头于晶体表面
C. 可以终止在晶体内部
D. 划过整个晶体就产生一个b的位移
13. 过时效会使强度硬度
A. 升高 B. 降低 C.不变 D.都有可能
14. 外表面的能量来自
A.表面断裂的化学键
B.。。。C.。。。
D. 残余力。
15. 在柯肯达尔效应中，标记面的移动是因为
A. 两侧原子尺寸不一样 B. 两侧的密度不同
C. 两侧原子扩散速率不同 D. 都不是
16. 随着溶质原子浓度的增加，互扩散系数与溶质扩散系数的差值
A.增大 B. 减小 C. 不变 D. 都有可能
17. 在外加切应力下最先发生滑移的晶面
A.施密特因子最小 B.施密特因子最大
C.。。。最小 D.。。。最大
18. 新相从母相中析出完全不润湿，则接触角为度
A.90 B.180 C.0 D.45
19. 在进行拉伸试验时单晶体晶面趋于
A.与拉伸轴平行 B.与拉伸轴垂直
C.与拉伸轴呈45度 D.不确定
20. 关于回复过程中性能和结构，不涉及
A. 点缺陷的湮灭 B. 电阻率的下降
C. 晶粒尺寸增大 D. 内应力的降低
21. 下列过程与扩散无关的是
A. 蠕变 B. 调幅分解 C.马氏体转变 D.再结晶
22. 单元系相图最多能相共存
A.1 B.2 C.3 D.不确定
23. 结晶潜热能够从液相中迅速散失则趋于形成
A. 等轴晶 B. 胞状晶 C.树枝晶 D.片状晶
24. 形成临界晶核时自由能
A. 升高 B.降低 C.不变 D.都有可能
25. 要使再结晶的晶粒尺寸减小应当
A. 提高形核率N B.降低形核率N
C.提高长大速率G D.提高温度
二、综合题。共5题，75分。
1. （15分）
（1）请写出空位的平衡浓度表达式，并定义式中的物理量。
（2）为什么通常情况下间隙原子的浓度要比空位的浓度低？
（4）在ZrO2中添加CaO可以增加其稳定性，Ca2+置换Zr4+会产生什么缺陷？一个Ca2+置换产生多少这种缺陷？
2. 给出了计算分切应力的分析图，F为外力，φ为滑移面法线与外力F中心轴的夹角，λ为滑移方向与外力F的夹角。
（1）写出外力在滑移面沿滑移方向的分切应力表达式。
（2）写出施密特因子的表达式。满足什么条件滑移系可以开始滑移？
（3）给出外力方向，给定一组滑移系上的发生滑移的分切应力大小，计算该组滑移系的临界分切应力。
（4）给出位错反应判断能否进行?请说明判断依据。
（5）fcc的滑移面和滑移方向是什么？有几个滑移系？
3.
（1）请写出菲克第一定律、菲克第二定律并定义所有物理量
（2）将一铁片一边置于脱碳环境，另一边是渗碳环境，给出了两边的碳浓度。画出铁片的浓度分布示意图，并写出分析过程。
（3）请写出间隙型扩散和置换型扩散的扩散系数表达式并定义其中的物理量。解释为什么间隙型的扩散系数大于置换型。
4.（15分）
（1）在Al中加入Cu、Zn等元素与纯铝相比强度显著提高，简述可能的强化机制，有表达式的写出表达式。（8分）
（2）为什么高强度的合金钢比低碳钢的抗拉强度高出一个数量级，杨氏模量却差别很小？（2分）
（3）派纳力τP-N是位错运动中会遇到的点阵阻力。试定性分析为什么既是位错发生运动陶瓷也不易产生塑性变形。（5分）
5. 画出匀晶相图在T1、T2、T3、T4、T5温度下的自由能成分曲线。(10分）
