第一题是求正向电流1毫安时的外加电压
第二题是场效应管Id电流相关（30分）分为4问，
第一问是求w，
第二问求饱和状态下的Id，
第三问求非饱和状态下的Id，
第四问求考虑饱和速度下的Id和沟道中最大电场，
第三题是模电的基础填空题（17分)有自激振荡条件，负反馈组态，滤波器选用，BJT三种组态等
第四题是一道基础共源放大题（13分）
第一问求两个场效应管工作在什么区，
第二问求输出阻抗，带宽增益积，输入阻抗等，
第五题是运放计算题（20分）
第一问简答理想运放的参数指标，
第二问计算电压表达式，
第三问忽略一个电阻变为积分电路，
第四问求电压。
第六题（25分）简答题，问到了竞争冒险的产生，用4个与非门设计异或门，格雷码和8421转换，FPGA的中文解释和它含有的单元等。第七题是传统的施密特触发器题（10分)求正向反向的阈值电压，
第八题是逻辑时序电路的分析（15分）基本的计数器分析
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